廣泛用于冶金、機械、輕工、商檢、高等院校及科研部門，其性能達到國外同類產品的標準，可處理直徑小于270mm的半導體樣片，采用K型熱電偶測溫和518P溫控儀30段可編程智能控溫，具有較高的控溫精度。

主要應用于CVD實驗，熒光粉制備，真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環(huán)境. 是各大材料實驗室的理想設備之一。

用途：高溫氣氛燒結、鍍膜、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。

特點：雙層風冷結構；高密度硅碳棒真空擠壓成型，三個溫區(qū)獨立控溫，高純氧化鋁纖維真空吸附一次成型；30段可編程智能控制（可外接遠程控制）。

工作溫度：≤1200℃

爐管尺寸：60mm*1200mm

外型尺寸：1200*660*750*mm（更多規(guī)格可根據(jù)用戶需求定制）

溫控方式：30段可編程自動控制

溫控保護：具有超溫及斷偶報警功能

溫控精度：± 1℃

加熱速率：0~20 ℃ / 分

氣密性：4.03×10-3Pa

加熱元件：摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲